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RDS (on) (Milliohm) 30 VDS (Max) (V) 600 ID (Max) (A) 55 Rating Catalog
RDS (on) (Milliohm) 30 VDS (Max) (V) 600 ID (Max) (A) 55 Rating Catalog
  • 符合JEDEC JEP180硬交换拓扑
  • 带有集成栅极驱动器的600 v GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅偏置电压
    • 200-V/ns CMTI
    • 2.2-MHz switching frequency
    • 转换速率从30-V/ns到150-V/ns,可优化开关性能和减轻电磁干扰
    • Operates from 7.5-V to 18-V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100-ns response
    • 在硬开关时能承受720v浪涌
    • 内部超温和UVLO监测的自我保护
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
    • 理想的二极管模式降低LMG3425R030的第三象限损耗
  • 符合JEDEC JEP180硬交换拓扑
  • 带有集成栅极驱动器的600 v GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅偏置电压
    • 200-V/ns CMTI
    • 2.2-MHz switching frequency
    • 转换速率从30-V/ns到150-V/ns,可优化开关性能和减轻电磁干扰
    • Operates from 7.5-V to 18-V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100-ns response
    • 在硬开关时能承受720v浪涌
    • 内部超温和UVLO监测的自我保护
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
    • 理想的二极管模式降低LMG3425R030的第三象限损耗

LMG342xR030 GaN FET集成驱动器和保护使设计人员能够在电力电子系统中实现新的功率密度和效率水平.

LMG342xR030集成了一个硅驱动器,使切换速度可达150v /ns. 与离散硅栅驱动器相比,TI的集成精密栅偏置导致了更高的开关SOA. This integration, 结合TI的低电感封装, 在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃. 可调栅极驱动强度,可将转换速率从20 V/ns控制到150 V/ns, 可用于主动控制电磁干扰和优化开关性能. LMG3425R030包括理想二极管模式, 通过启用自适应死区控制来减少第三象限损失.

先进的电源管理功能包括数字温度报告和故障检测. GaN FET的温度是通过一个可变占空比PWM输出来报告的, 这简化了对设备加载的管理. 报告的故障包括过温、过流和UVLO监控.

LMG342xR030 GaN FET集成驱动器和保护使设计人员能够在电力电子系统中实现新的功率密度和效率水平.

LMG342xR030集成了一个硅驱动器,使切换速度可达150v /ns. 与离散硅栅驱动器相比,TI的集成精密栅偏置导致了更高的开关SOA. This integration, 结合TI的低电感封装, 在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃. 可调栅极驱动强度,可将转换速率从20 V/ns控制到150 V/ns, 可用于主动控制电磁干扰和优化开关性能. LMG3425R030包括理想二极管模式, 通过启用自适应死区控制来减少第三象限损失.

先进的电源管理功能包括数字温度报告和故障检测. GaN FET的温度是通过一个可变占空比PWM输出来报告的, 这简化了对设备加载的管理. 报告的故障包括过温、过流和UVLO监控.

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