Product details

Vin (Min) (V) 3 Vin (Max) (V) 65 Features 使能、线性控制、反向电流阻断、反向极性保护 Iq (Typ) (mA) 0.032 Iq (Max) (mA) 0.038 IGate source (Typ) (uA) 26.3 IGate sink (Typ) (mA) 2.1 IGate pulsed (Typ) (A) 2.1 工作温度范围(C) -40 to 125 VSense reverse (Typ) (mV) -6.5 Design support EVM Rating Automotive Channel(s) controlled (#) 1 FET External VGS (Max) (V) 13
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WSON (DRR) 12 9 mm² 3 x 3
  • AEC-Q100合格,结果如下
    • 设备温度等级1:环境工作温度范围为-40℃~ +125℃
    • 设备HBM ESD分级2级
    • 设备CDM ESD分类等级C4B
  • 3-V to 65-V input range
  • 反向输入保护下降到- 65v
  • 静电流低,运行中35 μ A (max)
  • Low 3.3-µA (max)关机电流(EN = Low)
  • 17mv A到C正向电压降调节的理想二极管操作
  • 驱动外部背靠背n通道mosfet
  • 集成29毫安升压调节器
  • 反向电流阻塞响应快:0.5 µs
  • 主动式整流可达100khz
  • 可调节的过电压保护装置
  • 满足汽车ISO7637瞬态要求与合适的TVS二极管
  • 可提供节省空间的12针WSON包
  • 这个兼容 LM74721-Q1
  • AEC-Q100合格,结果如下
    • 设备温度等级1:环境工作温度范围为-40℃~ +125℃
    • 设备HBM ESD分级2级
    • 设备CDM ESD分类等级C4B
  • 3-V to 65-V input range
  • 反向输入保护下降到- 65v
  • 静电流低,运行中35 μ A (max)
  • Low 3.3-µA (max)关机电流(EN = Low)
  • 17mv A到C正向电压降调节的理想二极管操作
  • 驱动外部背靠背n通道mosfet
  • 集成29毫安升压调节器
  • 反向电流阻塞响应快:0.5 µs
  • 主动式整流可达100khz
  • 可调节的过电压保护装置
  • 满足汽车ISO7637瞬态要求与合适的TVS二极管
  • 可提供节省空间的12针WSON包
  • 这个兼容 LM74721-Q1

LM74720-Q1理想二极管控制器驱动和控制外部背对背n通道mosfet,以模拟电源路径ON/OFF控制和过电压保护的理想二极管整流器. 3v到65v的宽输入电源可以保护和控制12v和24v汽车电池供电的ecu. 该设备可以承受并保护负电源电压低于- 65v的负载. 一个集成的理想二极管控制器(GATE)驱动第一个MOSFET,以取代肖特基二极管的反向输入保护和输出电压保持. 在汽车测试(如ISO16750或LV124)中,当ECU受到输入短中断和交流叠加高达100 khz频率的输入信号时,具有快速开启和关闭比较器的强升压稳压器确保了鲁棒和高效的MOSFET开关性能. 低静止电流35µA(最大)运行时,使系统设计始终处于ON状态. 在电源路径上有第二个MOSFET,该设备允许使用EN引脚进行负载断开控制. 静止电流降低到3.3个µA(最大),EN较低. 该装置具有可调过电压截止保护功能,用于负载转储保护.

LM74720-Q1理想二极管控制器驱动和控制外部背对背n通道mosfet,以模拟电源路径ON/OFF控制和过电压保护的理想二极管整流器. 3v到65v的宽输入电源可以保护和控制12v和24v汽车电池供电的ecu. 该设备可以承受并保护负电源电压低于- 65v的负载. 一个集成的理想二极管控制器(GATE)驱动第一个MOSFET,以取代肖特基二极管的反向输入保护和输出电压保持. 在汽车测试(如ISO16750或LV124)中,当ECU受到输入短中断和交流叠加高达100 khz频率的输入信号时,具有快速开启和关闭比较器的强升压稳压器确保了鲁棒和高效的MOSFET开关性能. 低静止电流35µA(最大)运行时,使系统设计始终处于ON状态. 在电源路径上有第二个MOSFET,该设备允许使用EN引脚进行负载断开控制. 静止电流降低到3.3个µA(最大),EN较低. 该装置具有可调过电压截止保护功能,用于负载转储保护.

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